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新潔能NCE01P18K：高效能功率MOSFET的介紹

發布時間：2025-06-19 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：496

在當今電子技術飛速發展的時代，功率MOSFET作為核心電子元件之一，廣泛應用于各類電源管理、電機驅動及照明控制等領域。新潔能作為國內領先的半導體企業，憑借其深厚的技術積累和創新能力，推出了NCE01P18K這款高性能的P溝道功率MOSFET產品，為電子設備的高效運行提供了強勁動力。以下是對新潔能NCE01P18K：高效能功率MOSFET的介紹。

 

 

NCE01P18K是新潔能精心設計的一款P溝道功率MOSFET，采用TO-252-2封裝形式，具有耐壓100V、最大漏極電流18A的優異性能。其導通電阻低至70mΩ，在4.5V和2.5V的低電壓條件下，導通電阻分別為20mΩ和20mΩ，這使得它在低電壓應用場景中能夠顯著降低功耗，提高系統效率。

 

產品優勢

 

低導通電阻與高效率

 

NCE01P18K的低導通電阻特性，使其在電流通過時產生的熱量大幅減少，從而提高了整體電路的效率。無論是在高負載還是低電壓條件下，都能保持出色的性能，有效延長設備的使用壽命。

 

高耐壓與大電流

 

100V的耐壓能力和18A的最大漏極電流，使其能夠適應各種復雜的工作環境，滿足多種高功率、高電壓的應用需求。無論是電源管理、電機驅動還是LED照明等領域，NCE01P18K都能穩定可靠地工作。

 

封裝優勢

 

TO-252-2（DPAK）封裝形式不僅散熱性能良好，而且體積小巧，能夠有效節省PCB空間。這種封裝方式便于安裝和焊接，提高了生產效率，降低了制造成本。小巧的體積卻有著出色的散熱性能。這不僅節省了寶貴的PCB空間，還讓工程師們在設計時更加靈活自如。無論是緊湊的手機充電器，還是需要高功率輸出的工業電源，NCE01P18K都能完美適配，展現出它的全能本色。

 

技術參數

 

參數名稱 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源電壓 Vdss Vgs = 0V, Id = -250μA -100 - - V
零柵極電壓漏極電流 Idss Vds = -100V, Vgs = 0V - - 1 μA
柵源極漏電流 Igss Vgs = ±20V, Vds = 0V - - ±20 μA
柵極閾值電壓 Vgs(th) Vds = Vgs, Id = -250μA -1 -1.9 -3 V
導通電阻 Rds(on) Vgs = -10V, Id = -16A - 85 100 mΩ
導通電阻 Rds(on) Vgs = -4.5V, Id = -16A 95 120 - mΩ
輸入電容 Ciss - - 3.81 - nF
輸出電容 Coss - - 129 - pF
反向傳輸電容 Crss Vds = -50V, Vgs = 0V, F = 1MHz - 125 - pF
柵極電荷 Qg Vgs = -10V - 70 - nC
開通延遲時間 td(on) - - 16 - ns
上升時間 tr - - 73 - ns
關斷延遲時間 td(off) - - 34 - ns
下降時間 tf Vdd = -50V, Id = -16A, Vgs = -10V - - - -

 

應用場景

 

電源管理

 

在各類開關電源、DC-DC轉換器等電源管理系統中，NCE01P18K能夠實現高效的功率轉換。其低導通電阻和高耐壓特性，使其在高頻率、高功率的應用場景中表現出色，能夠有效降低電源損耗，提高電源轉換效率。

 

電機驅動

 

對于電機驅動電路，NCE01P18K的大電流和低導通電阻特性能夠顯著提升電機的啟動速度和運行效率。同時，其高耐壓能力能夠有效保護電機免受電壓波動的影響，確保電機的穩定運行。

 

LED照明

 

在LED照明領域，NCE01P18K可用于驅動電路，實現高效的電流控制。其低導通電阻能夠降低發熱，提高照明系統的可靠性，同時延長LED燈的使用壽命。

 

新潔能NCE01P18K憑借其低導通電阻、高耐壓、大電流以及優越的封裝性能，成為了功率MOSFET市場中的佼佼者。在電子產品的世界里，每一個元件都有它的使命。NCE01P18K的使命，就是為你的設備提供高效、可靠、節能的解決方案。它不僅僅是一個元件，它是你設計中的得力助手，是你產品性能提升的關鍵所在。選擇NCE01P18K，就是選擇卓越的性能和可靠的質量，助力您的電子產品在激烈的市場競爭中脫穎而出。